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MnPS3
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產(chǎn)品信息
簡(jiǎn)介MnPS3是一種屬于層狀過(guò)渡金屬三硫族化合物的晶體，是一種層狀反鐵磁材料。其能帶結(jié)構(gòu)為3.1eV間接帶隙半導(dǎo)體，反鐵磁奈爾溫度約為77K。 -
產(chǎn)品參數(shù)/特點(diǎn)
MnPS3是一種屬于層狀過(guò)渡金屬三硫族化合物的晶體，是一種層狀反鐵磁材料。其能帶結(jié)構(gòu)為3.1eV間接帶隙半導(dǎo)體，反鐵磁奈爾溫度約為77K。常常表現(xiàn)出類(lèi)似于反鐵磁性的磁性行為。在某些條件下，可通過(guò)外界條件調(diào)控其電學(xué)性質(zhì)。MnPS3可用于磁性存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)，包括硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）等領(lǐng)域。 由于其磁性特性，MnPS3可用于磁性傳感器技術(shù)，例如在磁場(chǎng)測(cè)量和導(dǎo)航系統(tǒng)。二維材料在電子學(xué)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用潛力。MnPS3的可調(diào)控電學(xué)性質(zhì)使其成為可用于新型電子器件的材料，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）等。
此外，部分理論工作認(rèn)為該材料在單層時(shí)可能具有谷自旋的能帶結(jié)構(gòu)。
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